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20130220 - ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì(ÁÖ) ¼³¸³
20130328 - ºÎ¼³¿¬±¸¼Ò ¼³¸³/ º¥Ã³±â¾÷ µî·Ï
20171116 - ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì(ÁÖ) ±¹³»»óÇ¥ µî·Ï
20180828 - ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì(ÁÖ) ±¹¿Ü»óÇ¥ µî·Ï
20181025 - ¹ÝµµÃ¼Àdz¯ »ê¾÷Åë»óÀÚ¿øºÎ Àå°üǥâ ¼ö»ó
20181031 - º»»çÀÌÀü(ÆÇ±³ Á¦2 Å×Å©³ëº§¸® ÆÇ±³±â¾÷¼ºÀå¼¾ÅÍ)
20190611 - °ø°ø±¸¸ÅÁ¾ÇÕÁ¤º¸Á÷Á¢»ý»ê¾÷ü(Á¶´Þû¿ì¼±ÀÔÂû¾÷ü) µî·Ï
20190900 - Seed ÅõÀÚÀ¯Ä¡(¿ì¸®ÀºÇà, ½Å¿ëº¸Áõ±â±Ý)
20200610 - º»Á¡ ÀÌÀü : °æ±âµµ ¼º³²½Ã ¼öÁ¤±¸ û°è»ê·Î 686, 414È£(°íµîµ¿, ¹Ýµµ¾ÆÀ̺ñ¹ë¸®)
20200700 - ¼ÒÀçºÎǰÀåºñ Àü¹®±â¾÷ ÀÎÁõ
20201100 - Pre-A ÅõÀÚÀ¯Ä¡(Áß¼Òº¥Ã³±â¾÷ÁøÈï°ø´Ü)
20210700 - Series A ÅõÀÚÀ¯Ä¡(KDBÀÎÇÁ¶óÀÚ»ê¿î¿ë)
20220200 - BYD¿¡ Si SJ MOSFET Spec-In ¼º°ø
20220600 - »ê¾÷Åë»óÀÚ¿øºÎ Àå°ü ǥâ ¼ö»ó(¿¬±¸¼ÒÀå °æ½Å¼ö)
20221100 - Series B ÅõÀÚÀ¯Ä¡(¾È´Ù¾Æ½Ã¾ÆVC, ºô¶û½º-GCI ½Å±â¼úÁ¶ÇÕ)
20230900 - HL¸¸µµ »êÈ­°¥·ý UV Sensor °³¹ß Çù¾÷ MOU ü°á
20231200 - Çö´ë¸ðºñ½º Back-End SiC MOSFET Wafer °ø±Þ ¼º°ø
20240100 - DBÇÏÀÌÅØ 8ÀÎÄ¡ SiC °øÁ¤°³¹ß Çù¾÷ MOU ü°á
20240300 - ±¹³» ÃÖÃÊ 2,300V SiC MOSFET °³¹ß ¿Ï·á
20240600 - È­ÇÕ¹° Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °íµµÈ­»ç¾÷ ÁÖ°ü±â°ü ¼±Á¤
20240700 - Series C ÅõÀÚÀ¯Ä¡(Çϳªº¥Ã³½º, ¾Ë¹ÙÆ®·Î½º, ³ëƽÀκ£½ºÆ®¸ÕÆ®, ÄÉÀ̾¾)
20241100 - ½Å±â¼ú(NET) ÀÎÁõ Ãëµæ
20250100 - »êÈ­°¥·ý ¾ç»ê°øÁ¤(G1 Fab) ±¸Ãà ½ÃÀÛ
20250200 - Á¦¿¥Á¦ÄÚ EV ÀιöÅÍ¿ë SiC MOSFET Çù¾÷ MOU ü°á
20250600 - »êÈ­°¥·ý ¼¾¼­ ¾ç»ê°øÁ¤ ±¸Ãà ½ÃÀÛ
20250700 - ÄÚ½º´Ú »óÀåÀ» À§ÇÑ ±â¼ú¼º Æò°¡ Åë°ú
20250800 - »êÈ­°¥·ý ¼¾¼­ ¾ç»ê°øÁ¤ ±¸Ãà ¿Ï·á
20251200 - Pre-IPO ÅõÀÚÀ¯Ä¡(»êÀºÄ³ÇÇÅ», īī¿ÀÆäÀÌÁõ±Ç, ÀÓÆÑÆ®ÇÇÅ©´ÐÅõÀÚÁ¶ÇÕ2È£, ÇϳªÅ×Å©¹ë·ù¾÷ÆÝµå 2È£,ÄÉÀ̺ñÁõ±Ç)

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60¾ï 130¸¸¿ø 103¾ï 4,097¸¸¿ø- 108¾ï 3,738¸¸¿ø2025.12.31

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2024- 174¾ï 7,052¸¸¿ø ¡é 82¾ï 6,463¸¸¿ø ¡è- 49¾ï 2,073¸¸¿ø ¡è
2023- 132¾ï 7,685¸¸¿ø 52¾ï 2,462¸¸¿ø - 56¾ï 7,167¸¸¿ø

Á¤º¸Á¦°ø: ³ªÀ̽ºµð¿£ºñ

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  • ȨÆäÀÌÁö : http://powercubesemi.com