주식회사 제주반도체 기업정보

2014.09 1G LPDDR1(45nm급) 양산개시
2014.05 512M LPDDR1(45nm급) 양산개시
2014.05 4M SPI Nor Flash (90nm급) 양산개시
2013.11 NAND MCP 양산 개시
2013.10 256M Low Power DDR1 (45nm급) 양산개시
2013.03 사명변경((주)이엠엘에스아이 -> (주)제주반도체)
2011.12 63nm 64M CRAM 개발진행
2011.03 SPI 64M Nor Flash 개발진행
2010.01 64M CRAM 2.0 양산
2009.12 모바일용 128M LP DDR DRAM 양산
2009.10 64M CRAM 1.5 양산
2009.06 64M CRAM 1.5 개발완료
2009.03 16M CRAM 1.5 양산
2008.10 16M CRAM 1.5 개발완료
2008.09 32M CRAM 1.5 양산
2008.06 모바일용 128M LP DDR DRAM 개발완료
2008.03 32M CRAM 1.5 개발완료
2007.08 램스웨이(주) 자외사 편입
2006.12 Winbond 투자유치
2006.08 미주법인(설계센터) 설립
2006.04 32M LP SDRAM (0.13um급) 개발
2005.05 16M Pseudo SDRAM (0.13um급) 개발 및 양산 개시
2005.02 KOSDAQ 등록
2005.01 본사 제주 이전
2004.05 16M Pseudo SRAM (0.18um급) 양산 개시
2003.09 16M Pseudo SRAM (0.18um급) 개발
2003.05 1M, 2M, 8M SRAN 개발 및 양산 개시
2002.12 4M SRAM (0.18um) 개발 및 양산 개시
2001.12 4M SRAM (0.25um) 양산 개시
2001.09 4M SRAM (0.25um) 개발 및 품질승인 획득
2000.09 4M SRAM (0.25um) 개발 착수
2000.04 EMLSI 설립