회사소개
(주)제주반도체는 모바일 메모리 반도체의 설계, 제조를 전문으로 하는 반도체 팹리스 회사입니다. 주요 제품으로는 Nand MCP, CRAM, SRAM, DRAM 등이 있으며 풍부한 경험을 보유한 동종업계 최고 수준의 개발인력과 지속적으로 변화하는 고객요구에 적기 대응할 수 있는 기술 경쟁력을 통해 지속적인 성장과 발전을 추구하고 있습니다.
연혁
2014.09 1G LPDDR1(45nm급) 양산개시
2014.05 512M LPDDR1(45nm급) 양산개시
2014.05 4M SPI Nor Flash (90nm급) 양산개시
2013.11 NAND MCP 양산 개시
2013.10 256M Low Power DDR1 (45nm급) 양산개시
2013.03 사명변경((주)이엠엘에스아이 -> (주)제주반도체)
2011.12 63nm 64M CRAM 개발진행
2011.03 SPI 64M Nor Flash 개발진행
2010.01 64M CRAM 2.0 양산
2009.12 모바일용 128M LP DDR DRAM 양산
2009.10 64M CRAM 1.5 양산
2009.06 64M CRAM 1.5 개발완료
2009.03 16M CRAM 1.5 양산
2008.10 16M CRAM 1.5 개발완료
2008.09 32M CRAM 1.5 양산
2008.06 모바일용 128M LP DDR DRAM 개발완료
2008.03 32M CRAM 1.5 개발완료
2007.08 램스웨이(주) 자외사 편입
2006.12 Winbond 투자유치
2006.08 미주법인(설계센터) 설립
2006.04 32M LP SDRAM (0.13um급) 개발
2005.05 16M Pseudo SDRAM (0.13um급) 개발 및 양산 개시
2005.02 KOSDAQ 등록
2005.01 본사 제주 이전
2004.05 16M Pseudo SRAM (0.18um급) 양산 개시
2003.09 16M Pseudo SRAM (0.18um급) 개발
2003.05 1M, 2M, 8M SRAN 개발 및 양산 개시
2002.12 4M SRAM (0.18um) 개발 및 양산 개시
2001.12 4M SRAM (0.25um) 양산 개시
2001.09 4M SRAM (0.25um) 개발 및 품질승인 획득
2000.09 4M SRAM (0.25um) 개발 착수
2000.04 EMLSI 설립
