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CZ,GC,SiC-Wafer,Si-Cathode,CVD-SiC¿Ü
´ç»ç´Â 1996³â â»ç ÀÌ·¡ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀçºÐ¾ß Àü¹®±â¾÷À¸·Î¼, ÀÌ ºÐ¾ßÀÇ ±¹»êȸ¦ ÅëÇØ Çѱ¹ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀç»ê¾÷ ¼±ÁøÈ¿¡ ÁßÃßÀû ¿ªÇÒÀ» ´ã´çÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.
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1996.08 Çѱ¹µµÄ«ÀÌÄ«º»(ÁÖ)¼³¸³ (ÀÚº»±Ý : 3,000,000õ¿ø)
°æ±âµµ ¾È¼º½Ã ¹Ì¾ç¸é °è¸¤¸® 271-2
1996.03 ¹«¿ª¾÷ µî·Ï(Çѱ¹¹«¿ªÇùȸ)
1997.01 ±â¼úµµÀÔ°è¾à½Å°í(Åë»ó»ê¾÷ºÎ)
1997.04 Á¶¼¼°¨¸é½Å°í(ÀçÁ¤°æÁ¦¿ø)
1997.09 °øÀåÁذø
1998.10 ISO9001ÀÎÁõ(AC-01248)
2000.02 ¿¬±¸Àü´ãºÎ¼ È®ÀÎ(Çѱ¹»ê¾÷±â¼úÁøÈïÇùȸ)
2000.04 SiC Wafer »ý»ê°³½Ã
2000.07 º¥Ã³Ä³ÇÇÅ» ÅõÀÚÀ¯Ä¡(ÃÑ35¾ï¿ø)
2000.08 º¥Ã³±â¾÷ ÀÎÁõ(°æ±âµµ Áß¼Ò±â¾÷û)
2001.03 ±¹¹«ÃѸ®»ó ¼ö»ó(»ó°ø¾÷ÁøÈï ǥâ)
2001.07 À¯¸ÁÁß¼Ò±â¾÷ ¼±Á¤(°æ±âµµ)
2001.10 »óÈ£º¯°æ(ÁÖ½Äȸ»ç Ƽ¾¾ÄÉÀÌ)
2001.12 À¯»óÁõÀÚ 170,000õ¿ø(ÀÚº»±Ý 4,670,000õ¿ø)
2002.10 CVD-SiC·Î 1È£±â ¼³ºñÅõÀÚ Áذø
2003.08 ÄÚ½º´Ú µî·Ï
2004.02 2004³â ½Å°æ¿µ,½Å±â¼ú´ë»ó¼ö»ó(¹ÝµµÃ¼Àç·áºÎ¹®)
2004.04 CVD-SiC·Î 2È£±â ¼³ºñÅõÀÚ Áذø
2004.12 ±â¾÷ºÎ¼³¿¬±¸¼Ò¼³¸³
2005.10 »ê¾÷ÀÚ¿øºÎ ºÎǰ¼ÒÀçÀü¹®±â¾÷ ÀÎÁõ
2006.06 INNOBIZÀÎÁõ
2006.12 ISO14001:2004ȹµæ
2006.12 °í¼øÈ2È£±âÁذø
2007.01 Digital Innovation »ê¾÷ÀÚ¿øºÎÀå°ü»ó¼ö»ó
2008.03 ³ì»ö¿¡³ÊÁö ¿ì¼ö±â¾÷ ¼ö»ó
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2008.04 ´ëÇѹα¹ ¼±µµ±â¾÷ ¼±Á¤
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2008.06 Á¦2ȸ ´ëÇѹα¹ ÄÚ½º´Ú´ë»ó ÃÖ¿ì¼ö Å×Å©³ë °æ¿µ»ó
2011.04 Á¦2°øÀå Áذø
2012.04 ±â¾÷ºÎ¼³¿¬±¸¼Ò ¼³¸³