¿¬Çõ
2000. 01 (ÁÖ)À¯ÁøÅ×Å© ¼³¸³(°æ±âµµ ±ºÆ÷½Ã ´çµ¿ 39-3 ½Å¶óÅ×Å©³ëºô 602È£), °øÀå µî·Ï
2000. 11 ºÎ¼³¿¬±¸¼Ò ¼³¸³
2001. 01 ºÎ¼³¿¬±¸¼Ò ÀÎÁ¤(Á¦20011127È£)
2002. 05 º»»ç ÀÌÀü : Ãæ³² õ¾È½Ã Â÷¾Ïµ¿ 4-3
2002. 10 ÁöÁ¡ ¼³Ä¡(°æ±âµµ ±ºÆ÷½Ã ´çµ¿ 39-3 ½Å¶óÅ×Å©³ëºô 602È£)
2003. 12 Nitride CVD Àåºñ ¼öÃâ- Hynix America
2004. 07 ±â¾÷ÀºÇà Family±â¾÷ ¼±Á¤
2004. 08 Nitride CVD Àåºñ ¼öÃâ- Hynix America
2004. 12 300mm Nitride CVD Àåºñ °øµ¿°³¹ß ¼º°ø¸®¿¡ ¿Ï·á
2005. 04 300mm Nitride CVD Àåºñ ´ë¸¸ ¼öÃâ
2005. 05 Outstanding Contribution Award ¼ö»ó(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼)
2005. 07 ÄÚ½º´Ú »óÀå ¿¹ºñ½É»ç û±¸
2005. 08 º»»ç ¹× °øÀå ÀÌÀü : °æ±âµµ ¿ëÀνà óÀα¸ ¾çÁö¸é Ã߰踮 209-3
2005. 10 Nitride CVD 2È£Àåºñ ´ë¸¸ ¼öÃâ
2005. 11 ÄÚ½º´Ú »óÀå ½É»ç ½ÂÀÎ
2006. 01 ÄÚ½º´Ú »óÀå
2007. 03 »ï¼ºÀüÀÚ¿¡ ºñ¸Þ¸ð¸®¿ë Àåºñ Ãʵµ °ø±Þ
2007. 12 ³ª³ë¹ÝµµÃ¼Àåºñ ¿øÃµ±â¼ú »ó¿ëÈ »ç¾÷ ÁÖ°ü±â°ü ¼±Á¤
2008. 08 Plasma Àåºñ Ãʵµ °ø±Þ (ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼)
2008. 10 »ó»ýÇù·Â ÁýÁßÀ°¼ºÇ°¸ñ ¼±Á¤(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼)
2009. 02 ¹Ì±¹ ÇöÁö¹ýÀÎ ¼³¸³
2009. 11 ¹ÝµµÃ¼Àåºñ »ó¿ëÈ»ç¾÷ °úÁ¦ ¼±Á¤(Áö½Ä°æÁ¦ºÎ)
2009. 12 (ÁÖ)¿¡ÄݶóÀÌÆ® ÁÖ½Ä ¹× ÃâÀÚÁõ±Ç Ãëµæ
2011. 05 ¿ëÀΰøÀå³» »ç¹«µ¿ Áذø
2011. 08 »ï¼ºÀüÀÚÀÇ ±Û·Î¹ú°¼Ò±â¾÷ À°¼º´ë»ó Çù·Â¾÷ü ¼±Á¤
2012. 01 Â÷¼¼´ë 450mm ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ °³¹ß¿ë LP CVD ÁõÂø Àåºñ °³¹ß ¹Ì±¹ÀÇ SEMATECHÀÇ consortium¿¡¼ °³¹ß¾÷ü·Î-
2012. 07 ¹Ì±¹ SEMICON WEST 2012 Âü°¡
2013. 03 »ï¼ºÀüÀÚ '2013 ¿ÃÇØÀÇ °¼Ò±â¾÷' ¼±Á¤
2013. 07 ¹Ì±¹ SEMICON WEST 2013 Âü°¡
2013. 09 Áß±¹ÇöÁö¹ýÀÎ ¼³¸³
2013. 10 SKÇÏÀ̴нºÁß±¹¹ýÀΰú ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2014. 02 SKÇÏÀ̴нº¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2014. 03 È£¹ý»ç¾÷Àå Áذø ¿Ï·á (ÅäÁö 41,175§³, °ÇÃà¸éÀû 3,574.22§³)
2014. 06 ÀüÀÚÁ¤º¸µð¹ÙÀ̽º»ê¾÷¿øÃµ±â¼ú°³¹ß»ç¾÷ (¹ÝµµÃ¼°øÁ¤Àåºñ) °úÁ¦¼±Á¤(12inch ¿þÀÌÆÛ °í»ý»ê¼º Â÷¼¼´ë 10nmÀÌÇÏ±Þ ¼ÒÀÚ¿ë Si, SiGe ¹× Ge ¼±ÅÃÀû ¿¡ÇÇ ¼ºÀå Àåºñ °³
2014. 09 »ï¼ºÀüÀÚ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2014. 11 ÀüÀÚÁ¤º¸µð¹ÙÀ̽º»ê¾÷¿øÃµ±â¼ú°³¹ß»ç¾÷ (¹ÝµµÃ¼°øÁ¤Àåºñ) °úÁ¦¼±Á¤(450mm Àú¾Ð ÈÇÐ ±â»ó ÁõÂø Àåºñ ¹× °øÁ¤°³¹ß)ÁÖ°ü±â°ü : »ê¾÷Åë»óÀÚ¿øºÎ¼öÇà±â°£ : 2014.10.
2015. 01 ¾çÁö¸é Ã߰踮 °øÀå Үâ°íµ¿ ÀϺΠ¸ê½Ç 209§³ -> 105.94§³À§Çè¹°ÀúÀå ¹× Ã³¸®½Ã¼³ ½ÅÃà 91.8§³
2015. 02 OHSAS ¾ÈÀüº¸°Ç°æ¿µ½Ã½ºÅÛ ÀÎÁõ
2015. 03 'Á¦49ȸ ³³¼¼ÀÚÀÇ ³¯' ¸ð¹ü³³¼¼ÀÚ ±âȹÀçÁ¤ºÎÀå°ü ǥâ ¼ö»ó
2015. 04 »ï¼ºÀüÀÚ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2015. 06 »ï¼ºÀüÀÚ Áß±¹(Xian)°ú ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2015. 07 »ï¼ºÀüÀÚ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2015. 08 SKÇÏÀ̴нº¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2015. 11 »ï¼ºÀüÀÚ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2016. 03 ¼¿ï»ç¹«¼Ò °³¼Ò
2016. 05 »ï¼ºÀüÀÚ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2016. 07 SKÇÏÀ̴нº¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2016. 09 Winbond Electronics Corporation°ú ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2016. 10 »ï¼ºÀüÀÚ, Samsung Austin Semiconductor¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2017. 02 2016³â ÄÚ½º´Ú½ÃÀå °ø½Ã¿ì¼ö¹ýÀÎ ¼±Á¤
2017. 05 Á¾¼Óȸ»çÀÎ Eugene Technology Inc°¡ Ú¸ Aixtron IncÀÇ ¹ÝµµÃ¼¿ë Àåºñ Áß ¿øÀÚÃþÁõÂøÀåºñ(ALD)/ÈÇбâ»óÁõÂøÀåºñ(CVD) »ç¾÷ºÎ¹® ¿µ¾÷¾ç¼ö °è¾à
2017. 06 SKÇÏÀ̴нº¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2017. 08 Áö½ÄÀç»ê °æ¿µÀÎÁõ (À¯È¿±â°£ 2017.08.07~2020.08.07 ƯÇãûÀå)
2017. 09 SKÇÏÀ̴нº¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2017. 10 »ê¾÷Åë»óÀÚ¿øºÎ 'Á¦10ȸ ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ³¯' ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷¹ßÀü Á¤ºÎÆ÷»ó - µ¿Å¾»ê¾÷ÈÆÀå ¼ö»ó
2017. 11 Á¾¼Óȸ»çÀÎ Eugenus Inc(º¯°æÀü: Eugene Technology Inc.)°¡ Ú¸ Aixtron IncÀÇ ¿øÀÚÃþÁõÂøÀåºñ(ALD)/ÈÇбâ»óÁõÂøÀåºñ(CVD) »ç¾÷ºÎ¹® ¿µ¾÷¾ç¼ö
2018. 01 SKÇÏÀ̴нº¿Í ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶Àåºñ °ø±Þ°è¾à ü°á
2018. 03 2018³â °æ±âµµ ¼º½Ç³³¼¼ÀÚ ¼±Á¤